اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ™PRO 990 PCIe®4.0 NVMe ظرفیت دو ترابایت

کنترل کننده

Samsung V-NAND 3-bit MLC

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,400,000 IOPS

ظرفیت

دو ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500g , 0.5ms

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع حافظه فلش

MLC

قابلیت‌های حافظه

پشتیبانی از TRIM

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 7,450 MB/s

مصرف برق

Average 5.5 W Maximum 8.5 W (Burst mode)

رابط‌ها

PCI-Express 4.0 x4

قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل‌های

Client PCs, Game Consoles

وزن

10 گرم